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        銀河證券-第三代半導體行業深度報告:電力電子器件領域,碳化硅大有可為-221031

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        日期:2022-11-01 10:50:36 研報出處:銀河證券
        行業名稱:半導體行業
        研報欄目:行業分析 高峰,王子路  (PDF) 81 頁 5,125 KB 分享者:Fo***r
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        研究報告內容
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          第三代半導體:更先進的材料,更優異的產品特性。第三代半導體材料是指帶隙寬度達到2.0-6.0eV的寬禁帶半導體材料,包括了碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),是制造高壓大功率電力電子器件的突破性材料。相比硅基,SiC材料在熱導率、開關頻率、電子遷移率和擊穿場強均具備優勢,因此SiC材料具備更高效...

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